[发明专利]用于高电压集成电路电容器的方法和设备有效
| 申请号： | 201580060054.X | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN107078168B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | J·A·韦斯特;T·D·博尼菲尔德;B·L·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H05K1/16 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述的高电压集成电路电容器的示例中，电容器结构(1000)包括半导体衬底(1010)；底板(1020)，其具有覆盖半导体衬底的导电层；沉积的电容器电介质层(1030)，其覆盖底板(1020)的至少一部分并且在第一区中具有大于约6μm的第一厚度；倾斜过渡区(1045)，其位于所述第一区的边缘处的电容器电介质中，倾斜过渡区具有从水平面倾斜大于5度的上表面，并且从第一区延伸到具有低于所述第一厚度的第二厚度的电容器电介质层的第二区；以及形成的顶板导体(1040)，其在第一区中覆盖电容器电介质层的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电压 集成电路 电容器 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种电容器结构，其包括：半导体衬底；底板，其包括覆盖所述半导体衬底的导电层；沉积的电容器电介质层，其覆盖所述底板的至少一部分并且在第一区中具有大于约6μm的第一厚度；倾斜过渡区，其位于所述第一区的边缘处的所述电容器电介质中，所述倾斜过渡区具有从水平面倾斜大于5度的上表面，并且从所述第一区延伸到具有低于所述第一厚度的第二厚度的所述电容器电介质层的第二区；以及形成的顶板导体，其在所述第一区中覆盖所述电容器电介质层的至少一部分。
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