[发明专利]用于获得硅酮补片的方法,硅酮补片的至少一个表面涂覆有通过电弧沉积施加的碳,用于替代膀胱壁的一部分在审

专利信息
申请号: 201580060201.3 申请日: 2015-11-02
公开(公告)号: CN107072768A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 安东尼奥·桑布塞蒂 申请(专利权)人: 安东尼奥·桑布塞蒂
主分类号: A61F2/00 分类号: A61F2/00;A61F2/04;C23C14/06;A61L27/30;A61L27/18;A61L27/48;A61L27/50
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 许剑桦
地址: 意大利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请公开了一种用于涂覆补片(1;100;200)表面的方法,该补片用于在局部膀胱切除术之后替代一部分膀胱壁。该补片包括柔软硅酮的多层薄膜(2),具有大约600微米的厚度,以便有足够弹性,从而能够承受由于膀胱的膨胀和收缩而引起的伸缩;以及通过电弧沉积而施加的表面碳涂层。
搜索关键词: 用于 获得 硅酮 方法 至少 一个 表面 涂覆有 通过 电弧 沉积 施加 替代 膀胱 一部分
【主权项】:
一种用于制备补片(1;100;200)的方法,所述补片用于在局部膀胱切除术之后替代具有输尿管(20,20')和尿道(21)的自然膀胱的壁部分,所述补片包括由柔软、弹性的硅酮制成的平面形薄膜(2),所述平面形薄膜能够承受由于膀胱的膨胀和收缩而引起的伸缩,所述补片具有将朝向膀胱外部的第一表面以及将朝向膀胱内部的第二表面,所述方法包括以下步骤:通过电弧沉积而至少在所述薄膜(2)将朝向膀胱内部的所述表面上施加碳的微膜或碳层(3)。
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