[发明专利]通过防潮层实现的基于聚合物的电容器的可靠性改进有效
申请号: | 201580060230.X | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN107078024B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | H·郭;T·A·泰勒;J·A·韦斯特;R·A·杰克逊;B·威廉姆斯 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/033;H01L51/05;H01L51/56 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵志刚;赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在所描述的示例中,通过防潮层(320)有效地减少来自环境中的水蒸气的水分子渗透,防潮层(320)包括通过原子层沉积(ALD)过程形成的氧化铝层。微电子器件(300)包括在电容器电介质(310)中具有有机聚合物材料(314)的电容器(306),以及具有通过ALD过程形成的氧化铝层的防潮层(320)。 | ||
搜索关键词: | 通过 防潮 实现 基于 聚合物 电容器 可靠性 改进 | ||
【主权项】:
一种微电子器件,其包括:无机材料的衬底;电容器,其包括:第一板,其设置在所述衬底上方;第二板,其设置在所述衬底上方;以及电容器电介质,其包括设置在所述第一板与所述第二板之间的有机聚合物材料;以及防潮层,其设置在所述电容器上方,所述防潮层包括具有非晶态显微结构的氧化铝层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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