[发明专利]使用加成制造工艺的具复合材料特性的CMP衬垫建构有效
申请号: | 201580060603.3 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN107078048B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | R·巴贾杰;K·克里希南;M·C·奥里拉利;D·莱德菲尔德;F·C·雷德克;N·B·帕迪班德拉;G·E·蒙柯;J·G·方;R·E·帕里;R·E·达文波特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的实施例大体而言提供包括复合衬垫主体的研磨垫及形成该研磨垫的方法。一个实施例提供包括复合衬垫主体的研磨垫。该复合衬垫主体包括由第一材料或第一材料组成物形成的一个或更多个第一特征,及由第二材料或第二材料组成物形成的一个或更多个第二特征,其中该一个或更多个第一特征和该一个或更多个第二特征是通过沉积多个包含该第一材料或第一材料组成物和第二材料或第二材料组成物的层所形成的。 | ||
搜索关键词: | 使用 加成 制造 工艺 复合材料 特性 cmp 衬垫 建构 | ||
【主权项】:
一种研磨垫,包含:复合研磨衬垫主体,包含:由第一材料形成的一个或更多个第一特征;及由第二材料形成的一个或更多个第二特征,其中所述一个或更多个第一特征和所述一个或更多个第二特征是通过沉积多个包含所述第一材料和所述第二材料的层所形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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