[发明专利]金属氧化物薄膜,沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置有效
申请号: | 201580060640.4 | 申请日: | 2015-11-05 |
公开(公告)号: | CN107074662B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 一杉太郎 | 申请(专利权)人: | 攀时奥地利公司 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622;C09K9/00;C23C14/08;C23C14/34;G02F1/1523 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 樊晓焕;金小芳 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种包含β‑MoO3的金属氧化物薄膜,该β‑MoO3包含组Re、Mn及Ru中的至少一种掺杂元素。此外,本发明涉及一种经由溅射镀制造该种金属氧化物薄膜的方法;及一种包括金属氧化物薄膜的薄膜装置,该金属氧化物薄膜包含β‑MoO3,该β‑MoO3包含组Re、Mn及Ru中的至少一种掺杂元素。 | ||
搜索关键词: | 金属 氧化物 薄膜 沉积 方法 包含 装置 | ||
【主权项】:
一种包含β‑MoO3的金属氧化物薄膜,其特征在于该β‑MoO3包含组Re、Mn及Ru中的至少一种掺杂元素。
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