[发明专利]具有优化的混合漏极接触的场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201580060895.0 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107078153A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | S·德拉热;B·卡内兹;R·奥布里;O·雅德尔;N·米歇尔;M·瓦利 | 申请（专利权）人： | 泰勒斯公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 法国库*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括衬底和具有沟道区域的半导体结构的场效应晶体管，所述晶体管包括漏极接触、源极接触和栅极，所述源极接触和漏极接触可以在沟道区域中形成电荷载流子流，所述流由所述栅极控制，其特征为所述漏极接触是包括至少一个基本欧姆连续漏极接触(CDoh)和一个基本肖特基漏极接触(CDsch)的混合漏极接触，所述混合漏极接触与所述半导体结构齐平；所述基本肖特基漏极接触(CDsch)部分或完全重叠所述基本欧姆漏极接触(CDoh)。本发明还涉及用于制造所述晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优化 混合 接触 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括衬底和具有沟道区域的半导体结构的场效应晶体管，所述晶体管包括漏极接触、源极接触和栅极，所述源极接触和漏极接触能够在沟道区域中形成电荷载流子流，所述流受到所述栅极控制，其特征在于：‑所述漏极接触是包括至少一个基本欧姆连续漏极接触(CD oh)和一个基本肖特基漏极接触(CD sch)的混合漏极接触，所述混合漏极接触与所述半导体结构齐平；‑所述基本肖特基漏极接触(CD sch)部分或完全重叠所述基本欧姆漏极接触(CD oh)。
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