[发明专利]用于GaN垂直微腔面发射激光器(VCSEL)的方法有效
| 申请号： | 201580060899.9 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107078190B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 韩重;张成 | 申请（专利权）人： | 耶鲁大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了用于形成具有100nm以下孔径的高度均匀和高孔隙率的氮化镓层的结构和方法。使用浓硝酸中低偏压下重度掺杂的氮化镓的电化学蚀刻来形成多孔氮化镓。多孔层可用于集成光学器件如VCSEL和LED的反射结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 gan 垂直 微腔面 发射 激光器 vcsel 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔氮化镓层，其大部分孔具有小于约100nm的最大横向宽度，以及具有大于30％的体积孔隙率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于耶鲁大学，未经耶鲁大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580060899.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
