[发明专利]具有片上集成光子源或光子欧姆漏极以促进被俘获于晶体管的深陷阱中的电子脱陷的晶体管有效
| 申请号： | 201580061572.3 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107004705B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈敬;李百奎;唐曦 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;李荣胜 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种利用来自片上光子源的光子对GaN电子器件中的深陷阱进行抽吸的技术。在各个实施例中，利用配置为在高电子迁移率晶体管操作期间产生光子的片上集成光子源来提供对GaN高电子迁移率晶体管中的深陷阱进行光学抽吸的方法。在一个方面中，片上光子源为SoH‑LED。在各个附加的实施例中，提供了将光子源集成在高电子迁移率晶体管的漏电极中的集成方案，从而将具有欧姆漏极的常规高电子迁移率晶体管转化为具有混合光子欧姆漏极(POD)的晶体管、简称为POD晶体管或PODFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 光子 欧姆 促进 被俘 晶体管 深陷 中的 电子 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：形成在衬底上的高电子迁移率晶体管(HEMT)；以及形成在所述衬底上的光子源，其配置为在所述高电子迁移率晶体管的操作期间产生光子，其中所述光子在所述高电子迁移率晶体管的操作期间促进被俘获在所述高电子迁移率晶体管的表面/界面区和沟道/缓冲区中的电子脱陷。
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