[发明专利]具有单步氟凹槽与外包覆的光纤预成形件的制造方法

摘要

提供了一种方法，其包括形成具有第一密度的低折射率凹槽区域；以大于第一密度的第二密度形成围绕凹槽区域的包含二氧化硅的内阻隔层(116a)；绕着第一阻隔层沉积基于二氧化硅的烟炱从而以小于第二密度的第三密度形成外包覆区域(114)；将芯棒(102)插入凹槽‑外包覆结构；以大于第三密度的第四密度在外包覆区域的外部部分中形成包含二氧化硅的外阻隔层(116b)；使含负掺杂剂的气体流动通过凹槽‑外包覆结构(110)从而用负掺杂剂掺杂凹槽区域，以及其中，阻隔层(116a，116b)减轻了负掺杂剂扩散进入外包覆区域(114)；以及对凹槽‑外包覆和芯棒进行固结。还提供了制造具有内外阻隔层的固结的凹槽‑外包覆结构的方法。

主权项

一种用于形成光纤预成形件的方法，所述方法包括：在饵棒上沉积基于二氧化硅的烟炱以形成低折射率凹槽区域，其中，所述基于二氧化硅的烟炱的沉积使得所述凹槽区域具有第一密度；绕着所述凹槽区域形成包含二氧化硅的内阻隔层，其中，所述内阻隔层具有大于所述第一密度的第二密度；绕着所述第一阻隔层沉积基于二氧化硅的烟炱，以形成具有第三密度的光纤预成形件的外包覆区域，其中，所述第二密度大于所述第三密度；从凹槽‑外包覆结构的中心通道去除所述饵棒，所述凹槽‑外包覆结构包括所述凹槽区域、所述内阻隔层和所述外包覆区域；在去除所述饵棒的步骤之后，将芯棒插入所述凹槽‑外包覆结构的所述中心通道中；在所述外包覆区域的外部部分中形成包含二氧化硅的外阻隔层，其中，所述外阻隔层具有大于所述第三密度的第四密度；在插入所述芯棒的步骤之后，使含负掺杂剂的气体流动通过所述凹槽‑外包覆结构的所述中心通道，其中，对所述凹槽‑外包覆结构进行充分加热，从而用所述负掺杂剂掺杂所述凹槽区域，以及其中，所述阻隔层减轻了所述负掺杂剂扩散进入所述外包覆区域；以及在将所述芯棒插入所述光纤预成形件的步骤之后，对所述凹槽‑外包覆结构和所述芯棒进行固结。