[发明专利]触点环绕结构有效
| 申请号： | 201580062646.5 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107112284B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | J·J·徐;S·S·宋;V·马赫卡奥特桑;M·巴达罗格鲁;J·鲍;J·J·朱;D·杨;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/775;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 唐杰敏;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括栅极堆叠。该半导体器件还包括环绕触点，该环绕触点被安排成围绕以及接触半导体器件的紧邻栅极堆叠的经重新生长的源极/漏极区的基本上所有表面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 触点 环绕 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅极堆叠；以及环绕触点，所述环绕触点被安排成围绕以及接触所述半导体器件的紧邻所述栅极堆叠的经重新生长的源极/漏极区的基本上所有表面区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
