[发明专利]碳化硅基板处理方法有效
| 申请号： | 201580062667.7 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107004585B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 矢吹纪人;鸟见聪;野上晓 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/302;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种碳化硅基板处理方法，该方法对于形成有沟槽(41)的碳化硅基板(40)，一边防止表面产生粗化一边使离子活化。通过进行在Si蒸气压下加热碳化硅基板(40)的离子活化处理，使注入于碳化硅基板(40)的离子活化，并进行蚀刻而将表面加工平坦，其中该碳化硅基板(40)在表面具有注入了离子的离子注入区域(46)，且在至少包含该离子注入区域(46)的部分形成有沟槽(41)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅基板处理方法，其特征在于：/n通过进行在Si蒸气压下加热碳化硅基板的离子活化处理，一边蚀刻所述碳化硅基板的表面的外延层一边使注入于所述碳化硅基板的离子活化，其中该碳化硅基板在表面具有单晶SiC的外延层，且在该表面的所述外延层形成有注入离子的离子注入区域，且在至少包含该离子注入区域的部分形成有沟槽。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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