[发明专利]太阳能电池的制造方法及太阳能电池

摘要

本发明涉及太阳能电池的制造方法及太阳能电池。所述制造方法包括：第1工序：在第1导电型的半导体基板的一面形成将第2导电型的杂质以第1浓度扩散的第1掺杂层及将第2导电型的杂质以比第1浓度低的第2浓度扩散且表面粗糙度与第1掺杂层不同的第2掺杂层；及在第1掺杂层形成与第1掺杂层电连接的金属电极第2工序。在第2工序中，基于由于第1掺杂层与第2掺杂层的表面粗糙度的差而产生的第1掺杂层与第2掺杂层中的光反射率的差来检测第1掺杂层的位置，依据检测的第1掺杂层的位置来形成金属电极。

主权项

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，其在第1导电型的半导体基板的一面形成第2导电型的杂质以第1浓度被扩散的第1掺杂层、及所述第2导电型的杂质以比所述第1浓度低的第2浓度被扩散且表面粗糙度与所述第1掺杂层不同的第2掺杂层；和第2工序，其在所述第1掺杂层上形成与所述第1掺杂层电连接的金属电极，所述第1工序包括：在所述半导体基板的一面形成第1纹理构造的第3工序；在形成所述第1纹理构造的所述半导体基板的一面的表层以既定的图案形成所述第1掺杂层的第4工序；对所述半导体基板的一面的除了所述第1掺杂层以外的区域进行蚀刻而形成第1槽开口部的第5工序；和至少在所述第1槽开口部的表层形成所述第2掺杂层的第6工序，在所述第2工序中，基于所述第1掺杂层与所述第2掺杂层的光反射率的差来检测所述第1掺杂层的位置，依据检测的所述第1掺杂层的位置来形成所述金属电极，所述第1掺杂层与所述第2掺杂层的光反射率的差为由于所述第1掺杂层与所述第2掺杂层的表面粗糙度的差所产生。