[发明专利]银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨有效
| 申请号： | 201580063555.3 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107000065B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 内田博;原真尚;菅原笃;橘川守 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/00;C09D11/52;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 王磊;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造后的银纳米线的清洗容易的银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨。通过在重均分子量为100000～280000的聚合物及还原剂的存在下对银化合物进行加热来制造银纳米线，所述聚合物以单体单元的形式含有由R‑CONHR'(R为氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R'为具有碳‑碳双键的碳原子数为2或3的烯基)表示的仲酰胺化合物。上述化合物的聚合物为选自聚(N‑乙烯基甲酰胺)、聚(N‑乙烯基乙酰胺)或聚(N‑乙烯基丙酰胺)中的1种以上的聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 银纳米线 聚合物 碳原子数 制造 烷基 乙烯基甲酰胺 乙烯基乙酰胺 上述化合物 重均分子量 单体单元 银化合物 丙酰胺 还原剂 氢原子 碳双键 乙烯基 仲酰胺 烯基 自聚 加热 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种银纳米线的制造方法，包含在重均分子量为100000～280000的聚合物及还原剂的存在下对银化合物进行加热的工序，所述聚合物以单体单元的形式含有由R－CONHR’表示的仲酰胺化合物，其中，R为氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R’为具有碳-碳双键的碳原子数为2或3的烯基。/n
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