[发明专利]晶体管器件有效
| 申请号： | 201580064397.3 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107004702B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | H·斯林豪斯;K·邦戈;V·佩库尼亚 | 申请（专利权）人： | 剑桥企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶体管器件，包括在源极导体和漏极导体之间具有沟道长度L和沟道宽度W的并且经由有机聚合物电介质与栅极导体电容性地耦合的无机氧化物半导体沟道，有机聚合物电介质与无机氧化物半导体沟道接触，其中在使栅极导体和漏极导体维持在相同电位的同时使在源极导体和漏极导体之间至少X nA的恒定电流维持达14小时的时段所需的栅极电压，变化小于1V，优选地变化小于大约0.2V；其中X等于W/L比乘以50。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括在源极导体和漏极导体之间具有沟道长度L和沟道宽度W的并且经由有机聚合物电介质与栅极导体电容性地耦合的无机氧化物半导体沟道，所述有机聚合物电介质与所述无机氧化物半导体沟道接触，其中在使所述栅极导体和漏极导体维持在相同电位的同时使在所述源极导体和漏极导体之间至少X nA的恒定电流维持达14小时的时段所需的栅极电压变化小于1V，优选地变化小于大约0.2V；其中X等于W/L比乘以50。
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