[发明专利]高质量流动式化学气相沉积膜的先进工艺流程

摘要

本文所述实施方式涉及用于形成流动式化学气相沉积(FCVD)膜的方法，该方法适于高深宽比缝隙填充应用。所述多种处理流程包括处理沉积的FCVD膜以改善介电膜密度与材料组成而使用的离子注入工艺。可用多种次序组合来应用离子注入工艺、固化工艺与退火工艺以在器件材料热收支内的温度下形成具有改良密度的介电膜。改善膜质量特性包括与传统FCVD膜形成工艺相比降低的膜应力与减少的膜收缩。

主权项

1.一种用于形成流动式化学气相沉积膜的方法，所述方法依序包括以下步骤：通过在100℃或小于100℃的温度下且在0.5托与10托之间的压力下于处理腔室中反应含硅前驱物、含氮前驱物及含氧前驱物而形成介电膜于基板上；通过在离子注入工艺中暴露所述介电膜至氧离子以NH_x的方式自所述基板除气；暴露所述介电膜至氧自由基以固化所述介电膜；以及通过在小于500℃的温度下暴露所述介电膜至水蒸汽来退火所述介电膜。