[发明专利]具有捆扎式触点的FinFET SRAM有效
| 申请号： | 201580065137.8 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN107004680B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | H·杨;N·N·莫江德;S·S·宋 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/11;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种装置包括第一晶体管的第一鳍(116)以及第二晶体管的第二鳍(118)。该装置还包括耦合至第一鳍的第一触点(138)以及耦合至第二鳍的第二触点(142)。该装置进一步包括耦合至第一触点并耦合至第二触点的捆扎式触点(164)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 捆扎 触点 finfet sram | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一晶体管的第一鳍；第二晶体管的第二鳍；耦合至所述第一鳍的第一触点；耦合至所述第二鳍的第二触点；以及耦合至所述第一触点并耦合至所述第二触点的捆扎式触点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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