[发明专利]用于高温RF应用的静电吸盘有效
| 申请号： | 201580065413.0 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107004628B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 瑞安·汉森;曼朱纳塔·科普帕;维贾伊·D·帕克赫;约翰·C·福斯特;基思·A·米勒 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种静电吸盘，包括圆盘、主体、DC电压感测电路和电感器，所述圆盘具有支撑表面以及相对的第二表面，当基板设置于圆盘上时，支撑表面支撑所述基板，其中一或多个吸附电极嵌入于圆盘中，所述主体具有耦接至所述圆盘的所述第二表面的支撑表面以支撑所述圆盘，所述DC电压感测电路设置于所述圆盘的支撑表面上，所述电感器设置于所述主体中且靠近所述主体的支撑表面，其中所述电感器电耦接至DC电压感测电路，并且其中所述电感器被配置为过滤高频电流以准确地测量所述基板上的DC电位。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高温 rf 应用 静电 吸盘 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘，包括：圆盘，所述圆盘具有支撑表面以及相对的第二表面，当基板设置于所述圆盘上时，所述支撑表面支撑所述基板，其中一或多个吸附电极嵌入于所述圆盘中；主体，所述主体具有耦接至所述圆盘的所述第二表面的支撑表面以支撑所述圆盘；DC电压感测电路，所述DC电压感测电路设置于所述圆盘的支撑表面上；及电感器，所述电感器设置于所述主体中且靠近所述主体的支撑表面，其中所述电感器电耦接至DC电压感测电路，并且其中所述电感器被配置为过滤高频电流以准确地测量所述基板上的DC电位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
