[发明专利]具有波长的温度补偿的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201580065421.5 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107004740B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·鲁道夫;彼得鲁斯·松德格伦;伊瓦尔·通林 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括：‑p型半导体区域(4)，‑n型半导体区域(6)，‑在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间设置的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构(51，52)，其中‑多量子阱结构(51，52)具有：第一区域(51)，所述第一区域由交替的第一量子阱层(51A)和第一阻挡层(51B)构成；和第二区域，所述第二区域具有至少一个第二量子阱层(52A)和至少一个第二阻挡层(52B)，‑至少一个第二量子阱层(52A)具有电子带隙(EQW2)，所述电子带隙小于第一量子阱层(51A)的电子带隙(EQW1)，‑至少一个第二阻挡层(52B)具有电子带隙(EB2)，所述电子带隙大于第一阻挡层(51B)的电子带隙(EB1)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 波长 温度 补偿 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括：‑p型半导体区域(4)，‑n型半导体区域(6)，‑在所述p型半导体区域(4)和所述n型半导体区域(6)之间设置的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构，其中‑所述多量子阱结构具有：第一区域(51)，所述第一区域具有交替的第一量子阱层(51A)和第一阻挡层(51B)；和第二区域，所述第二区域具有至少一个第二量子阱层(52A)和至少一个第二阻挡层(52B)，‑至少一个所述第二量子阱层(52A)具有电子带隙EQW2，该电子带隙EQW2小于所述第一量子阱层(51A)的电子带隙EQW1，‑至少一个所述第二阻挡层(52B)具有电子带隙EB2，该电子带隙EB2大于所述第一阻挡层(51B)的电子带隙EB1，并且‑所述第二区域(52)比所述第一区域(51)更靠近所述p型半导体区域(4)设置。
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