[发明专利]在基板上制作多层式结构的方法及多层式元件有效
| 申请号： | 201580065761.8 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107004584B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·雷诺;克里斯多夫·汉特曼 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作多层式结构的方法包括：在安置于基板上的元件堆叠上提供掩模，所述元件堆叠包括由第一层类型及第二层类型构成的第一多个层；沿第一方向射出第一离子，所述第一方向相对于所述基板的平面的法线形成第一非零入射角度，其中形成具有侧壁角度的第一侧壁，所述侧壁角度相对于所述法线形成第一非零倾斜角度，所述第一侧壁包括第二多个层，所述第二多个层来自于所述第一多个层的至少一部分且由所述第一层类型及所述第二层类型构成；以及使用第一选择性蚀刻来蚀刻所述第二多个层，其中相对于所述第二层类型而选择性地蚀刻所述第一层类型。本发明另提供一种多层式元件。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 斜角 离子束 处理 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上制作多层式结构的方法，包括：/n在安置于所述基板上的元件堆叠上提供掩模，所述元件堆叠包括由第一层类型及第二层类型构成的第一多个层；/n沿第一方向射出第一离子，所述第一方向相对于所述基板的平面的法线形成第一非零入射角度，其中形成具有侧壁角度的第一侧壁，所述侧壁角度相对于所述法线形成第一非零倾斜角度，所述第一侧壁包括第二多个层，所述第二多个层来自于所述第一多个层的至少一部分且由所述第一层类型及所述第二层类型构成；以及/n使用第一选择性蚀刻来蚀刻所述第二多个层，其中相对于所述第二层类型而选择性地蚀刻所述第一层类型，其中形成第一侧壁结构，所述第一侧壁结构具有阶梯式结构且界定第一平均侧壁角度，所述第一平均侧壁角度相对于所述法线具有非零倾斜角度，其中所述第一侧壁结构的阶梯式表面相对于所述第一平均侧壁角度为斜角。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
