[发明专利]薄膜晶体管阵列基板有效
| 申请号： | 201580065784.9 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107004721B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 白朱爀;裵钟旭;塞鲁恩特·洪;李道炯;朴泰昱 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的一个实施方案的薄膜晶体管阵列基板包括有源层、中间层、栅极绝缘膜、栅电极、层间绝缘膜、源电极以及漏电极。有源层位于基板上，并且栅极绝缘膜位于有源层上。栅电极位于栅极绝缘膜上，并且层间绝缘膜位于栅电极上。源电极和漏电极位于层间绝缘膜上并且连接至有源层。中间层位于有源层与栅极绝缘膜之间，并且由包含第IV族元素的氧化物半导体制成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列基板，包括：基板；位于所述基板上的有源层；位于所述有源层上的栅极绝缘膜；位于所述栅极绝缘膜上的栅电极；位于所述栅电极上的层间绝缘膜；位于所述层间绝缘膜上并且连接至所述有源层的源电极和漏电极；以及其中由包含第IV族元素的氧化物半导体制成的中间层位于所述有源层与所述栅极绝缘膜之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司，未经乐金显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580065784.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：喷墨打印机
- 下一篇：墨容纳单元和喷墨打印机
- 同类专利
- 专利分类
