[发明专利]包含具有含卤素的羧酸酰胺基的水解性硅烷的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201580065977.4 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107003613B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 柴山亘;高濑显司;坂本力丸 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G77/26;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 黄媛;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供可以作为硬掩模使用的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。通过含有三卤代乙酰胺骨架，从而可以提高图案分辨率。作为解决本发明课题的方法涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷包含具有含卤素的羧酸酰胺基的硅烷。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 具有 卤素 羧酸 胺基 水解 硅烷 光刻 用抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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