[发明专利]发射辐射的光电子半导体组件及其制造方法

摘要

提出一种发射辐射的光电子半导体组件，其具有辐射透射面(S)，在半导体组件运行中产生的光(R)穿过所述辐射透射面；第一阻挡层(1)，所述第一阻挡层设置在辐射透射面(S)的上侧上并且在那里至少局部地与辐射透射面(S)直接接触；转换元件(3)，所述转换元件设置在第一阻挡层(1)的背离辐射透射面(5)的上侧上；第二阻挡层(2)，所述第二阻挡层设置在转换元件(3)的背离第一阻挡层(1)的上侧上和设置在第一阻挡层(1)的上侧上，其中第一阻挡层(1)和第二阻挡层(2)共同地完全包围转换元件(3)，并且第一阻挡层(1)和第二阻挡层(2)局部地彼此直接接触。

主权项

一种发射辐射的光电子半导体组件，其具有：‑辐射透射面(S)，在所述半导体组件运行中产生的光(R)穿过所述辐射透射面；‑第一阻挡层(1)，所述第一阻挡层设置在所述辐射透射面(S)的上侧上并且在那里至少局部地与所述辐射透射面(S)直接接触；‑转换元件(3)，所述转换元件设置在所述第一阻挡层(1)的背离所述辐射透射面(S)的上侧上；‑第二阻挡层(2)，所述第二阻挡层设置在所述转换元件(3)的背离所述第一阻挡层(1)的上侧上和设置在所述第一阻挡层(1)的上侧上，其中‑所述第一阻挡层(1)和所述第二阻挡层(2)共同地完全包围所述转换元件(3)，‑所述第一阻挡层(1)和所述第二阻挡层(2)局部地彼此直接接触，并且‑所述转换元件(3)包括转换波长的量子点或由转换波长的量子点构成。