[发明专利]固体摄像器件和电子装置有效
申请号: | 201580066932.9 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN107004689B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 渡部泰一郎;中村良助;佐藤友亮;古闲史彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/359;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本技术涉及能够实现来自光电二极管的稳定溢出并且能够防止Qs的减少和混色的发生的固体摄像器件和电子装置。根据本技术一个方面的固体摄像器件在半导体基板内的受光面侧处包括:电荷保持部,所述电荷保持部响应于入射光而产生电荷并保持所述电荷;OFD部,在所述电荷保持部处达到饱和的所述电荷被排放到所述OFD部中;以及势垒部,所述势垒部成为从所述电荷保持部向所述OFD部流动的所述电荷的壁垒。这里,所述OFD部包括杂质类型相同且杂质浓度不同的低浓度OFD部和高浓度OFD部,并且所述高浓度OFD部和所述势垒部被形成得间隔开。本技术例如可适用于CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件,所述固体摄像器件在半导体基板内的受光面侧处包括:电荷保持部,所述电荷保持部响应于入射光而产生电荷并保持所述电荷;OFD部,在所述电荷保持部处达到饱和的所述电荷被排放到所述OFD部中;以及势垒部,所述势垒部成为从所述电荷保持部向所述OFD部流动的所述电荷的壁垒,所述OFD部包括低浓度OFD部和高浓度OFD部,所述低浓度OFD部和所述高浓度OFD部的杂质类型相同且杂质浓度不同,并且所述高浓度OFD部和所述势垒部被形成得间隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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