[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件的制造方法

摘要

提供改善了器件寿命的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法。所述方法用于制造依次包括以下的第III族氮化物半导体发光器件：n型半导体层，包括阱层(所述阱层至少包含Al)和势垒层的具有量子阱结构的发光层40，和p型半导体层150。该方法的特征在于，形成p型半导体层150的步骤包括：电子阻挡层形成步骤，用于在发光层40上形成具有与势垒层42相比更高的Al组成的电子阻挡层51；氮气载气供给步骤，用于向电子阻挡层51的表面上至少供给具有氮气作为主要成分的载气；以及第二p型接触形成步骤，在氮气载气供给步骤之后进行的用于在电子阻挡层51上形成包含Al_yGa_1‑yN(0≤y≤0.1)的第二p型接触层55，其中第二p型接触形成步骤使用具有氢气作为主要成分的载气来进行。

主权项

1.一种第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，所述第III族氮化物半导体发光器件依次具有：n型半导体层；包括阱层和势垒层的具有量子阱结构的发光层，所述阱层至少包含Al；和p型半导体层，其中所述p型半导体层通过包括以下的步骤来形成：电子阻挡层形成步骤：用于在所述发光层上形成具有与所述势垒层相比更高的Al组成的电子阻挡层；氮气载气供给步骤：用于向所述电子阻挡层的表面上至少供给包含氮气作为主要成分的载气；和第二p型接触形成步骤：在所述氮气载气供给步骤之后，用于在所述电子阻挡层上形成由AlyGa1‑yN制成的第二p型接触层，其中y满足0≤y≤0.1，其中所述第二p型接触形成步骤使用包含氢气作为主要成分的载气来进行。