[发明专利]光调制器

摘要

本发明是一种光调制器，包括：基板、以及基板上的相位调制部，所述相位调制部包括：光波导、第一行波电极、以及第二行波电极，所述光波导包括：第一包层、半导体层、以及第二包层，所述半导体层层叠在第一包层上，并具有高于第一包层的折射率，所述第二包层层叠在半导体层上，并具有低于半导体层的折射率，半导体层具备：肋部，形成于光波导的光轴方向，作为光波导的芯；第一平板部，沿光轴方向形成于肋部的一侧；第二平板部，沿光轴方向形成于肋部的另一侧；第三平板部，沿光轴方向形成于第一平板部的与肋部相反侧；以及第四平板部，沿光轴方向形成于第二平板部的与肋部相反侧，第一平板部形成为比肋部和第三平板部薄，第二平板部形成为比肋部和第四平板部薄。

主权项

1.一种光调制器(300)，包括：/n基板(401)、以及/n所述基板上的相位调制部(311)，所述相位调制部(311)包括：光波导(323)、第一行波电极(321)、以及第二行波电极(322)，所述光波导(323)包括：第一包层(402)、半导体层(403)、以及第二包层(404)，所述半导体层(403)层叠在所述第一包层(402)上，并具有高于所述第一包层(402)的折射率，所述第二包层(404)层叠在所述半导体层(403)上，并具有低于所述半导体层(403)的折射率，/n所述光调制器(300)的特征在于，/n所述半导体层(403)具备：/n肋部(C0)，形成于所述光波导(323)的光轴方向，作为所述光波导(323)的芯；/n第一平板部(C1)，沿所述光轴方向形成于所述肋部(C0)的一侧；/n第二平板部(C2)，沿所述光轴方向形成于所述肋部(C0)的另一侧；/n第三平板部(C3)，沿所述光轴方向形成于所述第一平板部(C1)的与所述肋部(C0)相反侧；以及/n第四平板部(C4)，沿所述光轴方向形成于所述第二平板部(C2)的与所述肋部(C0)相反侧，/n所述第一平板部(C1)形成为比所述肋部(C0)和所述第三平板部(C3)薄，/n所述第二平板部(C2)形成为比所述肋部(C0)和所述第四平板部(C4)薄，/n当将所述肋部(C0)的厚度设为t0，将所述第一平板部(C1)的厚度设为t1，并将所述第三平板部(C3)的厚度设为t3时，厚度的关系满足不等式t0＞t3＞t1，当将所述第二平板部(C2)的厚度设为t2并将所述第四平板部(C4)的厚度设为t4时，厚度的关系满足不等式t0＞t4＞t2，/n所述第三平板部(C3)的与所述第一平板部(C1)相反侧的端部为高浓度p型半导体区域(403-3)，所述第四平板部(C4)的与所述第二平板部(C2)相反侧的端部为高浓度n型半导体区域(403-4)，/n所述第三平板部(C3)的所述第一平板部(C1)侧、所述第一平板部(C1)以及所述肋部(C0)的所述第一平板部(C1)侧为中浓度p型半导体区域(403-1)，所述第四平板部(C4)的所述第二平板部(C2)侧、所述第二平板部(C2)以及所述肋部(C0)的所述第二平板部(C2)侧为中浓度n型半导体区域(403-2)，/n所述高浓度p型半导体区域与所述中浓度p型半导体区域的边界位于所述第三平板部内，所述高浓度n型半导体区域与所述中浓度n型半导体区域的边界位于所述第四平板部内。/n