[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201580067427.6 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN107004722A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;田中哲弘;下村明久;山根靖正;德丸亮;佐藤裕平;筒井一寻 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/8242;H01L27/092;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 叶培勇,刘春元 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有稳定的电特性的晶体管。该晶体管包括在衬底上形成的第一绝缘体；在第一绝缘体上形成的第一至第三氧化物绝缘体；在第三氧化物绝缘体上形成的第二绝缘体；在第二绝缘体上形成的第一导电体；以及在第一导电体上形成的第三绝缘体，其中，第一氧化物绝缘体及第二氧化物绝缘体的导带底能级比氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，第三氧化物绝缘体的导带底能级比第二氧化物绝缘体的导带底能级更近于真空能级，第一绝缘体包含氧，通过热脱附谱分析测量的从第一绝缘体脱离的氧分子量为1E14 molecules/cm2以上且1E16 molecules/cm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底上的第一绝缘体；所述第一绝缘体上的第一氧化物绝缘体；与所述第一氧化物绝缘体接触的氧化物半导体；与所述氧化物半导体接触的第二氧化物绝缘体；与所述第二氧化物绝缘体接触的第三氧化物绝缘体；所述第三氧化物绝缘体上的第二绝缘体；所述第二绝缘体上的第一导电体；以及所述第一导电体上的第三绝缘体,其中，所述第一氧化物绝缘体及所述第二氧化物绝缘体的导带底能级比所述氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，所述第三氧化物绝缘体的导带底能级比所述第二氧化物绝缘体的所述导带底能级更近于所述真空能级，并且，通过热脱附谱分析测量的从所述第一绝缘体脱离的氧分子量为1.0×1014molecules/cm2以上且1.0×1016molecules/cm2以下。
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