[发明专利]用于电子束直写（EBDW）光刻的下方吸收或传导层在审
| 申请号： | 201580068104.9 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN107004576A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | S·坦登;Y·A·波罗多维斯基;C·H·华莱士;P·A·尼许斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了适用于互补电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及其的方法。特定实施例针对用于电子束直写(EBDW)光刻的下方吸收和/或传导层的实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子束 ebdw 光刻 下方 吸收 传导 | ||
【主权项】：
一种使用电子束工具图案化抗蚀剂层的方法，所述方法包括：在下方吸收或传导层上提供具有抗蚀剂层的晶片；以及执行电子束直写光刻以用入射电子图案化所述抗蚀剂层，其中，所述吸收或传导层吸收、反射或传导出大部分所述入射电子，以减少反向散射。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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