[发明专利]低剖面加强层叠封装半导体器件

摘要

本公开提供了半导体封装以及用于制造PoP半导体封装的方法。该PoP半导体封装可包括第一半导体封装和第二半导体封装，该第一半导体封装包括阳极化金属盖结构，该结构包括(i)具有中央空腔开口方向的中央空腔以及(ii)具有面向与该中央空腔开口方向相反的方向的周界空腔开口方向的至少一个周界空腔；布置在该阳极化金属盖结构的中央空腔中的第一半导体器件；电耦合到该第一半导体器件的重分布层，其中在该重分布层中形成的导电迹线向该至少一个周界空腔曝露；以及布置在该至少一个周界空腔中的焊料材料，该第二半导体封装包括至少一个导电桩，其中该至少一个导电桩被电耦合到布置在该至少一个周界空腔中的焊料材料。

主权项

1.一种层叠封装半导体器件，包括：第一半导体封装，所述第一半导体封装包括：阳极化金属盖结构，其包括(i)具有中央空腔开口方向的中央空腔和(ii)具有面对与所述中央空腔开口方向相反的方向的周界空腔开口方向的至少一个周界空腔；布置在所述阳极化金属盖结构的所述中央空腔中的第一半导体器件；电耦合到所述第一半导体器件的重分布层，其中形成在所述重分布层中的导电迹线向所述至少一个周界空腔曝露；以及布置在所述至少一个周界空腔中的焊料材料；以及第二半导体封装，所述第二半导体封装包括至少一个导电桩，其中所述至少一个导电桩电耦合到布置在所述至少一个周界空腔中的所述焊料材料。