[发明专利]具有多种类型的薄膜晶体管的显示器背板

摘要

提供了一种TFT背板，所述TFT背板包括具有氧化物有源层的至少一个TFT和具有多晶硅有源层的至少一个TFT。在本发明的实施方式中，用于实现有源区域中的像素电路的TFT中的至少一个TFT是氧化物TFT(即，具有氧化物半导体的TFT)，而用于实现与有源区域相邻的驱动电路的TFT中的至少一个TFT是LTPS TFT(即，具有多晶硅半导体的TFT)。

主权项

一种设备，包括：限定有第一区域和第二区域的基板；设置在所述第一区域中的低温多晶硅(LTPS)层；设置在所述第一区域中的LTPS层上的第一绝缘层；设置在所述第一区域和所述第二区域中的金属氧化物层，所述第一区域中的金属氧化物层设置在所述第一绝缘层上；设置在所述第一区域和所述第二区域中的第二绝缘层，所述第一区域中的第二绝缘层具有用于暴露下方的LTPS层的至少一部分的接触孔，并且所述第二区域中的第二绝缘层布置在所述金属氧化物层上，以暴露通过由所述第二绝缘层覆盖的部分分开的金属氧化物层的至少两个部分；位于所述第一区域和所述第二区域中的第一金属层，所述第一区域中的第一金属层与所述LTPS层的暴露部分接触，并且所述第二区域中的第一金属层通过下方的第二绝缘层与所述金属氧化物层绝缘；覆盖所述第一区域和所述第二区域中的第一金属层的第三绝缘层；设置在所述第一区域和所述第二区域中的第二金属层，所述第一区域中的第二金属层经由穿过所述第三绝缘层的接触孔与所述第一金属层接触，并且所述第二区域中的第二金属层经由穿过所述第三绝缘层的接触孔与所述金属氧化物层接触；和设置在所述第一区域和所述第二区域中并且在所述第二金属层上方的第四绝缘层，其中所述第一区域中的金属氧化物层具有比所述第二区域中的由所述第二绝缘层覆盖的金属氧化物层的部分高的导电率。