[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201580069819.6 申请日: 2015-12-09
公开(公告)号: CN107112389B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 石崎顺也;古屋翔吾 申请(专利权)人: 信越半导体株式会社
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/30;H01L21/306
代理公司: 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 代理人: 许天易
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种发光组件,具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部,发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层,其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极,第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖,第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化,以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成,其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果,并获得所期望的粗糙面形状。
搜索关键词: 发光 组件 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种发光组件,具有窗层兼支持基板及设置于该窗层兼支持基板上的发光部,该发光部依序包含有第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层,其中该第一半导体层上设置有第一奥姆电极,该第一半导体层的表面以及该发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖,该第一半导体层的表面以及该窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化,以及该第一半导体层由至少二层以上的结构所构成,其中经施以表面粗糙化处理侧的层与活性层侧的层相比由Al成分较少的材料所构成,该第一半导体层的经施以表面粗糙化处理侧的层由(AlxGal‑x)yIn1‑yP所构成,其中0≦x<0.6、0.4≦y≦0.6,或是由AlzGal‑zAs所构成,其中0≦z≦0.3;且该第一半导体层的活性层侧的层由(AlxGal‑x)yIn1‑yP所构成,其中0.6≦x≦1、0.4≦y≦0.6,或是由AlzGal‑zAs所构成,其中0.3<z≦1。
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