[发明专利]使用接枝聚合物材料图案化基底有效
申请号: | 201580070433.7 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN107112212B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 安东·J·德维利耶;杰弗里·史密斯 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 与使用常规自对准多重图案化和顺序光蚀刻沉积图案化方法相比的用于在较小尺寸下产生子分辨率沟槽、接触开口、线和其他结构的图案化方法。本文中的技术包括使用已经被改性以提供几乎没有或没有蚀刻抗性(快速蚀刻)的接枝聚合物材料的图案化。接枝聚合物材料作为间隔物材料沉积在具有心轴的基底上。间隔物材料选择性地附着至心轴表面,而不附着至下层的露出部分。间隔物材料也附着到特定长度使得形成侧壁间隔物。用填充材料填充间隔物之间的开口,然后蚀刻由接枝材料制成的侧壁间隔物,由此产生反间隔物。可以结合蚀刻转移到记忆层和/或使用额外的浮雕图案来产生多种特征。 | ||
搜索关键词: | 使用 接枝 聚合物 材料 图案 基底 | ||
【主权项】:
一种在基底上形成图案的方法,所述方法包括:提供具有位于目标层上的心轴的基底,所述心轴包含第一材料,所述目标层包含第二材料,所述第二材料与所述第一材料化学上不同;使间隔物材料沉积在所述基底上,所述间隔物材料选择性地附着至所述心轴的露出表面而不附着至所述目标层的露出表面,致使间隔物至少形成在所述心轴的侧壁上,其中所述间隔物具有基本上均匀的厚度;使填充材料沉积在所述基底上,所述填充材料填充由所述心轴的侧壁上的所述间隔物材料所限定的空间,所述填充材料通过所述限定的空间接触所述目标层,所述填充材料在所述间隔物的侧壁上形成与所述间隔物的垂直界面,所述填充材料包含第三材料;以及移除所述间隔物,导致所述填充材料和所述心轴保留在所述基底上并且一起限定组合的图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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