[发明专利]换能装置和用于提供这种装置的方法在审
| 申请号： | 201580070541.4 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN107112372A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | R·怀特;E·斯派格内 | 申请（专利权）人： | 诺基亚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/0384;H01L31/115 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置和方法，该装置包括电荷载体，其中电荷载体包括连续的三维框架，三维框架包括遍及框架的多个腔；遍及电荷载体被提供的传感器材料；其中传感器材料被配置为对检测到的输入进行换能并且根据检测到的输入改变电荷载体的电荷传导率。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 用于 提供 这种 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：电荷载体，其中所述电荷载体包括连续的三维框架，所述三维框架包括遍及所述框架的多个腔；遍及所述电荷载体被提供的传感器材料；其中所述传感器材料被配置为对检测到的输入进行换能并且根据所述检测到的输入改变所述电荷载体的传导率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
