[发明专利]场发射装置以及改质处理方法

摘要

在真空腔(1)中，发射器(3)和目标物(7)彼此对置。保护电极(5)围绕发射器(3)的电子生成部(31)的外周缘设置。支撑部(4)在真空腔(1)的端到端方向上可移动地支撑发射器(3)。通过操作支撑部件(4)，将发射器(3)移至敞口端(21)侧(非放电位置)并且在来自电子生成部(31)的场发射被抑制的状态下施加电压以在保护电极(5)上重复引起放电来对保护电极(5)执行改质处理。在改质处理之后，再次操作支撑部(4)。发射器(3)被移至敞口端(22)侧(放电位置)并且被置于允许来自电子生成部(31)的场发射的状态。

主权项

1.一种场发射装置，包括：真空容器，其具有筒状绝缘体，所述绝缘体具有两个端部，所述两个端部被密封以限定在所述绝缘体的内壁侧的真空腔；发射器，其位于所述真空腔的一端侧并且具有电子生成部，所述电子生成部面对所述真空腔的另一端侧；保护电极，其设置在所述发射器的所述电子生成部的外周侧，所述保护电极具有在所述真空腔的端到端方向上延伸的圆柱形形状，并且所述保护电极的一端侧被支撑于所述真空容器上并且被固定到所述真空容器；目标物，其位于所述真空腔的所述另一端侧并且与所述发射器的所述电子生成部对置；以及支撑部，其具有从所述发射器的与所述电子生成部相反的一侧延伸的形状并且在所述真空腔的端到端方向上可移动地支撑所述发射器，所述支撑部能够移动，以使得通过所述支撑部的移动，所述发射器在所述端到端方向上移动并因此与所述保护电极的另一端侧接触或分开，从而改变所述发射器的所述电子生成部与所述目标物之间的距离。