[发明专利]制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底及包括其的有机发光二极管

摘要

本发明涉及一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、一种用于有机发光二极管的光提取基底以及一种包括该光提取基底有机发光二极管，更具体地，涉及能够显著地提高有机发光二极管的光提取效率的一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、一种用于有机发光二极管的光提取基底以及一种包括该光提取基底有机发光二极管。为此，本发明中提供了一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，所述方法包括：通过将包含第一金属氧化物的溶胶‑凝胶溶液与由第二金属氧化物组成的多个散射颗粒进行混合来制备混合物的混合物制备步骤，其中，第二金属氧化物的折射率不同于第一金属氧化物的折射率；在基础基底上涂覆混合物的混合物涂覆步骤；对已经涂覆的混合物进行烧制以在基础基底上形成基质层的混合物烧制步骤，基质层包括第一金属氧化物并且其中分散有散射颗粒；通过利用折射率与基质层的折射率不同的材料填充基质层的表面来形成填充层的填充层形成步骤，其中，填充层填充在对混合物进行烧制时形成在基质层上的裂纹，其中，由于散射颗粒与被传送到填充层的表面上的裂纹的形状，褶皱形成在填充层的表面上。

主权项

1.一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，所述方法包括以下步骤：通过将包含第一金属氧化物的溶胶‑凝胶溶液与由SiO2或第二金属氧化物形成的多个散射颗粒进行混合来制备混合物，其中，SiO2和第二金属氧化物的折射率不同于第一金属氧化物的折射率；利用混合物涂覆基础基底；对涂覆基础基底的混合物进行烧制以在基础基底上形成基质层，基质层由第一金属氧化物形成并且具有分散在其中的所述多个散射颗粒；以及通过施用折射率与基质层的折射率不同的材料来在基质层的表面上形成填充层，其中，填充层填充在对混合物进行烧制过程中在基质层中产生的裂纹，所述多个散射颗粒和裂纹的形状被传送到填充层的表面。