[发明专利]具有底部密封布置的硅沉积反应器在审
申请号: | 201580071050.1 | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN107406976A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 迈克尔·V·斯潘格勒;马修·J·米勒;杰弗里·A·汉森 | 申请(专利权)人: | 瑞科硅公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C01B33/035;C23C16/442;B01J8/18;F27B15/06 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 刘慧,杨青 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了用于制造高纯度硅包覆粒子的流化床反应器系统。容器具有外壳、所述外壳内向的绝缘层、所述外壳内向的同心内壳、和定位在所述内壳的内向并限定反应器室的同心衬里。所述内壳和衬里在它们的底部由O形环密封布置密封在一起,以防止所述反应器室中的气体进入所述内壳和所述衬里之间的空间。中央入口喷嘴在所述反应器室中产生竖直的气体羽流。 | ||
搜索关键词: | 具有 底部 密封 布置 沉积 反应器 | ||
【主权项】:
硅沉积反应器系统,其包含:容器,其具有基底、顶盖、和在所述基底和所述顶盖之间大致竖直延伸的大致管状外壳;大致管状内壳,其位于所述外壳内向,所述内壳大致竖直延伸并由所述容器支撑;大致管状衬里,其位于所述内壳内向,所述衬里大致竖直延伸并由所述内壳支撑,所述衬里具有内表面,所述内表面至少部分限定适合于包含流化床中的许多硅粒子的室;至少一个喷嘴,其用于将气体注入所述室中;和至少一个出口,其用于从所述室除去气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞科硅公司,未经瑞科硅公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580071050.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的