[发明专利]掺杂半导体的方法

摘要

本发明涉及制造具有不同掺杂的区域的结构化高效太阳能电池和光伏元件的方法。本发明还涉及由此制成的具有提高的效率的太阳能电池。

主权项

直接掺杂硅基底的方法，其特征在于a)将适合作为用于形成氧化物层的溶胶‑凝胶并包含至少一种选自硼、镓、硅、锗、锌、锡、磷、钛、锆、钇、镍、钴、铁、铈、铌、砷和铅的掺杂元素的掺杂糊剂在整个表面上或选择性地印刷到基底表面上，和将其干燥，b)任选地用相同或不同组成的掺杂糊剂重复这一步骤，c)任选地通过在750至1100℃的温度下的温度处理实施通过扩散的掺杂，d)通过激光照射实施基底的掺杂，和e)任选地通过管式炉步骤或在线扩散步骤在升高的温度下进行对在所述基底中由激光照射引起的损伤的修复，和f)在掺杂完成后，再除去由所施加的糊剂形成的玻璃层，其中步骤b)至e)可取决于所希望的掺杂结果以不同顺序实施并可任选地重复实施。