[发明专利]制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法在审
| 申请号： | 201580072282.9 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107428543A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 后藤裕一;远藤雅久;孙军;永井健太郎 | 申请（专利权）人： | 薄膜电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/145 | 分类号： | C01B33/145;C01B33/12;C08G77/60 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所51221 | 代理人： | 韩洋 |
| 地址： | 挪威奥*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | [问题]提供一种制造用于能够在衬底上形成的硅氢化物氧化物涂覆膜的含氧硅氢化物有机溶剂(涂覆液)的方法。使用含氧硅氢化物的有机溶剂不需要在涂覆衬底时将涂覆液放置在非氧化气氛中，或者不需要在涂覆之后对衬底进行热处理，因为在涂覆之前硅氢化物氧化物形成在了涂覆溶液中。[方案]一种制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法，包括在含有硅氢化物或其聚合物的有机溶剂上吹入含氧气体。硅氢化物是环状硅烷。硅氢化物是环戊硅烷。所含有的硅氢化物或其聚合物的氧化物的比例是(剩余Si‑H基)/(氧化之前的Si‑H基)＝1‑40mol％。环状硅烷能够通过在卤化铝存在的情况下使环状硅烷与卤化氢在环己烷中反应、将得到的环状硅烷溶解在有机溶剂中并将其还原而得到。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 含氧硅 氢化物 有机溶剂 方法 | ||
【主权项】：
一种制造含氧硅氢化物有机溶剂的方法，包括：在含有硅氢化物或其聚合物的有机溶剂上吹入含氧气体。
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