[发明专利]包含激子缓冲层的钙钛矿发光器件以及制造其的方法有效
申请号: | 201580072691.9 | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN107210366B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 李泰雨;任相爀;曹勋灿;金荣训 | 申请(专利权)人: | 浦项工科大学校产学协力团;李泰雨 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周萍;刘灿强 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供包含激子缓冲层的钙钛矿发光器件以及制造其的方法。本发明的发光器件包括:激子缓冲层,其中,第一电极、设置在第一电极上并包括导电材料的导电层以及包含具有比导电材料低的表面能的氟基材料的表面缓冲层顺序地沉积;发光层,设置在激子缓冲层上并包含有机‑无机杂化钙钛矿发光体;以及第二电极,设置在发光层上。因此,有机‑无机杂化钙钛矿以纳米颗粒发光体中的结合的FCC和BSS晶体结构形成;本发明形成有机平面和无机平面交替沉积的层状结构;并且激子受无机平面的约束,从而能够表现高的色纯度。 | ||
搜索关键词: | 包含 激子 缓冲 钙钛矿 发光 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光器件,所述发光器件包括:第一电极;激子缓冲层,设置在第一电极上并包括导电材料和具有比导电材料低的表面能的氟基材料;发光层,设置在激子缓冲层上并包括有机/无机杂化钙钛矿材料;以及第二电极,设置在发光层上。
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