[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580073264.2 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN107112369B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 渡边宽 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本技术涉及具有温度系数是正的适合的电阻值的电阻的半导体装置以及具有温度系数是正的适合的电阻值的电阻的半导体装置的制造方法。本技术所涉及的半导体装置是经由pn结而流过电流的双极器件。半导体装置具备n型的碳化硅漂移层(3)、形成于碳化硅漂移层(3)上的p型的第一碳化硅层(4)、以及形成于第一碳化硅层(4)上的p型的第二碳化硅层(5)。另外，第二碳化硅层(5)的电阻的温度系数是正。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，是经由pn结流过电流的双极器件，该半导体装置具备：第一导电类型的碳化硅漂移层(3)；第二导电类型的第一碳化硅层(4)，形成于所述碳化硅漂移层(3)上；以及第二导电类型的第二碳化硅层(5)，形成于所述第一碳化硅层(4)上，所述第二碳化硅层(5)的电阻的温度系数是正。
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