[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201580073503.4 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN107534053A | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 铃木健司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 沟槽(8、9、10)形成于n型半导体衬底(3)的表面侧，将p型基极层(4)及n型层(5)贯穿。沟槽(8)和沟槽(9)的间隔比沟槽(9)和沟槽(10)的间隔狭窄。n型发射极层(6)形成于沟槽(8)与沟槽(9)之间的单元区域。p型阱区域(11)形成于沟槽(9)与沟槽(10)之间的哑区域。在哑区域，n型半导体衬底(3)的最表面仅为p型。p型阱区域(11)与沟槽(8、9、10)相比深度更深。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：n型半导体衬底；p型基极层，其形成于所述n型半导体衬底的表面侧；n型层，其在所述n型半导体衬底的表面侧形成于所述p型基极层之下，具有比所述n型半导体衬底高的杂质浓度；n型发射极层，其形成于所述p型基极层之上；第1、第2及第3沟槽，它们形成于所述n型半导体衬底的表面侧，将所述p型基极层及所述n型层贯穿；沟槽栅极电极，其隔着绝缘膜而形成于所述第1沟槽内；发射极电极，其形成于所述p型基极层和所述n型发射极层之上，与它们分别电连接；p型集电极层，其形成于所述n型半导体衬底的背面侧；集电极电极，其连接于所述p型集电极层；以及p型阱区域，其形成于所述n型半导体衬底的表面侧，所述第1沟槽和所述第2沟槽的间隔比所述第2沟槽和所述第3沟槽的间隔窄，所述n型发射极层形成于所述第1沟槽与所述第2沟槽之间的单元区域，所述p型阱区域形成于所述第2沟槽与所述第3沟槽之间的哑区域，在所述哑区域，所述n型半导体衬底的最表面仅为p型，所述p型阱区域与所述第1、第2及第3沟槽相比深度更深。
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