[发明专利]用于气相沉积含锆膜的含锆膜形成组合物在审
| 申请号： | 201580073605.6 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN107210219A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 克莱蒙特·兰斯洛特-马特拉斯;尤利安·利夫里希;石井华;克里斯汀·杜斯拉特 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 李颖,林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 披露了含锆膜形成组合物，这些组合物包含具有下式之一的含锗和锆的前体其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立地选自H；C1‑C5直链、支链或环状烷基；和C1‑C5直链、支链或环状氟烷基。还披露了合成所披露的组合物以及使用其通过气相沉积工艺在基板上沉积含锆膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 含锆膜 形成 组合 | ||
【主权项】：
一种含锆膜形成组合物，包含具有下式之一的含硅和锗的前体：其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自独立地选自H；C1‑C5直链、支链或环状烷基；或C1‑C5直链、支链或环状氟烷基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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