[发明专利]微电子内建层及其形成方法在审
| 申请号： | 201580074064.9 | 申请日： | 2015-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107210260A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | B·C·马林;T·格霍斯达斯蒂达;Y·李;D·塞纳维拉特纳 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以通过形成包括具有散布在其中的金属化催化剂的电介质材料的微电子电介质层、在所述微电子电介质层上形成底漆层、以及穿过所述底漆层并且进入电介质材料层形成凹槽来制造内建层。在所述凹槽内，活化层可以形成在暴露的微电子电介质层中或上，其中，所述底漆层用作掩模。可以诸如利用无电镀工艺将金属层形成在所述活化层上。因此，金属层沉积的分辨率可以由用于形成所述凹槽的工艺精确地控制。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 内建层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种制造微电子内建层的方法，包括：形成包括具有散布在其中的金属化催化剂的电介质材料的微电子电介质层，其中，所述微电子电介质层包括第一表面；在所述微电子电介质层的第一表面上形成底漆层；穿过所述底漆层并且进入所述微电子电介质层形成凹槽；以及在所述凹槽内形成与所述微电子电介质层相邻的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
