[发明专利]基板冲洗系统及方法有效
申请号: | 201580074176.4 | 申请日: | 2015-12-14 |
公开(公告)号: | CN107210249B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | J·S·弗兰克尔;B·J·布朗;V·S·弗朗西谢蒂;P·麦克休;K·M·汉森;E·米卡利辰可 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 示例瀑布设备包括:(1)具有第一宽度的第一部分,该第一部分具有:(a)第一容室、第二容室、和介于该第一与第二容室之间的受限流体路径;(b)第一耦接表面;和(c)入口开口,该入口开口产生介于该第一耦接表面与该第一容室之间的流体路径;以及(2)具有第二宽度的第二部分,该第二宽度大于该第一宽度,且该第二部分具有:(a)第二耦接表面;和(b)入口,该入口与该第一部分的入口开口对齐。该第一与第二耦接表面形成沟槽,该沟槽沿着该瀑布设备的长度的至少一部分延伸且连接到该第二容室。被引进到该第二部分的入口的流体填充该第一容室,行进通过该受限流体路径至该第二容室,并且离开介于该第一与第二部分之间的沟槽,以形成冲洗流体瀑布。 | ||
搜索关键词: | 冲洗 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种配置成向基材提供冲洗流体的瀑布设备,包括:具有第一宽度的第一部分,所述第一部分具有:第一容室、与所述第一容室分离的第二容室、和介于所述第一与第二容室之间的受限流体路径;第一耦接表面;和入口开口,所述入口开口产生介于所述第一耦接表面与所述第一容室之间的流体路径;以及具有第二宽度的第二部分,所述第二宽度大于所述第一宽度,且所述第二部分具有:第二耦接表面;和入口,所述入口与所述第一部分的所述入口开口对齐,以产生贯穿所述第二部分至所述第一容室的流体路径;其中所述第一部分的所述第一耦接表面与所述第二部分的所述第二耦接表面形成沟槽,所述沟槽沿着所述瀑布设备的长度的至少一部分延伸且连接到所述第二容室;且其中被引进到所述第二部分的所述入口的流体填充所述第一部分的所述第一容室,行进通过所述受限流体路径至所述第二容室,并且离开介于所述第一与第二部分之间的所述沟槽,以形成冲洗流体瀑布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造