[发明专利]在射频设备中的集成CMOS发送/接收开关在审
| 申请号： | 201580074822.7 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107210709A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | Y.金;S.莫塔 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/21;H03F3/213;H03F3/24;H03F3/60;H04B1/12;H04B1/525 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 于小宁 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 射频(RF)系统的实施例包含与一个或多个功率放大器和/或其他组件集成的发送/接收开关。功率放大器可以具有基于变压器的架构，并且功率放大器和开关可以被集成到单个互补金属氧化物半导体裸芯上。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 设备 中的 集成 cmos 发送 接收 开关 | ||
【主权项】：
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)裸芯，包括：功率放大器，包含具有初级绕组和次级绕组的变压器，所述功率放大器被配置为在发送模式中以放大在所述初级绕组上所接收的射频(RF)发送信号并且在所述次级绕组的天线侧上提供所放大的RF发送信号，所述功率放大器还被配置为在接收模式中以将RF接收信号从所述次级绕组的天线侧发送到所述次级绕组的接收侧；以及在所述次级绕组的接收侧和所述裸芯的接合焊盘之间的发送/接收开关。
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