[发明专利]磁存储器、将数据写入磁存储器的方法及半导体装置有效

申请号：	201580074919.8	申请日：	2015-07-30
公开（公告）号：	CN107210264B	公开（公告）日：	2019-12-06
发明（设计）人：	福泽英明	申请（专利权）人：	株式会社青纺
主分类号：	H01L21/8246	分类号：	H01L21/8246;G11C11/15;H01L27/105;H01L41/09;H01L41/12;H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12
代理公司：	11219 中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人：	李兰;孙志湧<国际申请>=PCT/JP2
地址：	日本神***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种磁存储器，具有可变形基板、与可变形基板耦合并且将数据存储为磁化方向的至少一个自旋器件元件、以及用于弯曲可变形基板的弯曲机构。可变形基板的上表面和/或下表面中的至少一个面向未填充有固体物质的空间。
搜索关键词：	磁存储器数据写入方法半导体装置
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种磁存储器，包括：/n半导体衬底，在所述半导体衬底中集成有晶体管；/n与所述半导体衬底分开设置的可变形基板；/n至少一个自旋器件元件，所述至少一个自旋器件元件与所述可变形基板耦合并且包括存储一比特数据的记录层，其中，所述记录层的第一磁化方向与所述一比特数据的第一数据值相关联，并且所述记录层的与所述第一磁化方向相反的第二磁化方向与所述一比特数据的第二数据值相关联；以及/n弯曲机构，所述弯曲机构弯曲所述可变形基板，/n其中，所述可变形基板面向未填充有固体物质的空间，所述空间被提供在所述可变形基板与所述半导体衬底之间。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社青纺，未经株式会社青纺许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580074919.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]磁存储器、将数据写入磁存储器的方法及半导体装置有效

专利文献下载