[发明专利]用于至少部分溶解临时压接的衬底叠层的连接层的装置和方法有效
| 申请号： | 201580075099.4 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108028212B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | A.费屈雷尔 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B26F3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭帆扬;宣力伟 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 建议了一种用于至少部分溶解临时压接的衬底叠层(2)的连接层(4)的装置(22)，带有如下特征：‑装置(22)具有至少一个环形物(1)，其中，衬底叠层(2)可被放置在至少一个环形物(1)内，‑至少一个环形物(1)具有多个喷嘴(1a)，其中，喷嘴(1a)至少在至少一个环形物(1)的周缘的部分上分布地布置，‑喷嘴(1a)朝向连接层(4)定向，‑装置(22)构造成，使得溶剂可由喷嘴(1a)被喷洒到连接层(4)的边缘区域上。此外建议了一种用于至少部分溶解连接层(4)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 至少 部分 溶解 临时 衬底 连接 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.用于至少部分溶解临时压接的衬底叠层(2)的连接层(4)的装置(22)，带有如下特征：-- 所述装置(22)具有至少一个环形物(1)，其中，所述衬底叠层(2)可被放置在所述至少一个环形物(1)内，-- 所述至少一个环形物(1)具有多个喷嘴(1a)，其中，所述喷嘴(1a)至少在所述至少一个环形物(1)的周缘的部分上分布地布置，-- 所述喷嘴(1a)朝向连接层(4)定向，-- 所述装置(22)构造成，使得溶剂能由所述喷嘴(1a)被喷洒到所述连接层(4)的边缘区域上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
