[发明专利]在衬底上形成钴互连有效
| 申请号： | 201580075674.0 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107208295B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 罗伊·沙维夫;约翰·莱姆;蒂莫西·博赫曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C25D3/12 | 分类号： | C25D3/12;C25D5/10;C25D5/18;C25D5/50;C25D7/12;C25D17/00;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶片电镀系统具有至少一个第一电镀腔室，所述第一电镀腔室具有含钴离子的第一电解质，并且适于以第一沉积速率电镀钴膜到晶片上。第二电镀腔室具有含钴离子的第二电解质，并且适于以第二沉积速率电镀钴膜到所述晶片上，所述第二沉积速率比所述第一沉积速率大。所述第一电镀腔室与第二电镀腔室处于处理系统的围壁内。机械手在所述第一电镀腔室与第二电镀腔室之间移动晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 形成 互连 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580075674.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
