[发明专利]热处理方法有效
申请号: | 201580075686.3 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN107251197B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 布施和彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/225;H01L21/265 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的在于,提供一种能够容易设置装置且能够缩短热处理时间的热处理方法及热处理装置。为了实现该目的,首先,准备在一个主面上形成有包含掺杂剂的单分子层薄膜及多分子层薄膜中的至少一方薄膜的基板。接着,将准备的基板配置于腔室内,通过第一灯向该基板照射光,来实施温度高于加热前的温度的第一温度区域的预备热处理,从而将包含于薄膜的掺杂剂从该薄膜导入基板的表层。然后,通过第二灯,向实施了预备热处理且配置于腔室内的基板照射闪光,来将基板从第一温度区域加热到温度高于该第一温度区域的第二温度区域,从而对导入基板的表层的掺杂剂进行活化。 | ||
搜索关键词: | 热处理 方法 | ||
【主权项】:
一种热处理方法,其特征在于,包括:步骤(a),准备在一个主面上形成有包含掺杂剂的单分子层薄膜及多分子层薄膜中的至少一方薄膜的基板;步骤(b),将在所述步骤(a)准备的所述基板配置于腔室内;步骤(c),用第一灯向在所述步骤(b)配置于所述腔室内的所述基板照射光,来实施温度高于加热之前的温度的第一温度区域的预备热处理,从而将包含于所述薄膜的所述掺杂剂从该薄膜导入所述基板的表层;以及,步骤(d),用第二灯向在所述步骤(c)实施了预备热处理且配置于所述腔室内的所述基板照射闪光,来将所述基板从所述第一温度区域加热到温度高于该第一温度区域的第二温度区域,从而对在所述步骤(c)导入所述基板的表层的所述掺杂剂进行活化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造