[发明专利]具有波限制结构的板波装置和制造方法有效
| 申请号： | 201580076411.1 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN107567682B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | K.巴塔查吉 | 申请（专利权）人： | QORVO美国公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H01L41/047;H03H9/25;H01L41/312;H03H3/02;H01L41/33 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 代易宁;安文森 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种微机电系统(MEMS)导波装置包括单晶压电层、以及被配置成将横向激发波限制在所述单晶压电层中的至少一个导波限制结构。粘结界面设置在所述单晶压电层与至少一个下层之间。多频率装置包括布置在单晶压电层的不同厚度区上或其中的第一组电极和第二组电极、以及至少一个导波限制结构。分段压电层和分段电极层的段基本上在包括至少一个导波限制结构的装置中对准。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 限制 结构 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统(MEMS)导波装置，其包括：单晶压电层；多个电极，其布置在所述单晶压电层中或所述单晶压电层上，并且被配置用于转换所述单晶压电层中的横向声波；以及至少一个导波限制结构，其被布置成接近所述单晶压电层，并且被配置成将具有波长λ的横向激发波限制在所述单晶压电层中，其中所述至少一个导波限制结构中的每个导波限制结构包括小于5λ的厚度，并且所述至少一个导波限制结构包括快波传播层。
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