[发明专利]对生长外延晶片的反应器的重操作进行准备的方法在审

专利信息
申请号: 201580076593.2 申请日: 2015-12-23
公开(公告)号: CN107636816A 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 赵万起;姜东昊 申请(专利权)人: LG矽得荣株式会社
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 代理人: 姚开丽,王琳
地址: 韩国庆*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 作为重新操作对晶片进行外延生长的反应室的准备阶段,实施例包括以下步骤将基座保持在预设的第一位置,所述基座被提供于所述反应室内部并且其上放置有晶片;将通过主阀引入氢气的流量设置为比通过狭缝阀引入氢气的流量大;将基座移动到预设的第二位置,在基座保持在第二位置的同时将通过主阀引入氢气的量设置为比通过狭缝阀引入氢气的量小。因此,反应室下部停滞的湿气和污染物可以随着氢气的流动朝排气孔顺利地排出。
搜索关键词: 生长 外延 晶片 反应器 操作 进行 准备 方法
【主权项】:
一种作为反应室的重操作准备过程而用于对外延生长装置的重操作进行准备的方法,其中,在所述反应室中在晶片上进行外延生长,所述方法包括:将基座置于预设的第一位置,其中在所述反应室内提供所述基座并且所述晶片被放置于所述基座上,并设置通过主阀引入氢气的流量以使得比通过狭缝阀引入氢气的流量大;以及将所述基座移动到预设的第二位置,在所述基座保持在所述第二位置的同时,设置通过所述主阀引入的氢气量以使得所引入的氢气量比通过所述狭缝阀引入的氢气量小。
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